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ZnO壓敏電阻器的結構:
晶粒體為電阻率很低的半導體,晶界為絕緣體,類似邊界層電容器,另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同,兩晶粒交界處結構松弛,雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低,所以容易在晶界偏析。
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電壓溫度系數TC
電壓溫度系數指在規定的溫度范圍(溫度范圍為20℃~70℃)內,壓敏電阻器標稱電壓的變化率,即在通過壓敏電阻器的電流保持恒定時,溫度改變1°C時,壓敏電阻器兩端電壓的相對變化。嚴格說,電壓溫度系數不是一個常數,在不同溫度下,T值是不同的,不過通常不需要給出TC與溫度的關系曲線。
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壓敏電阻直流作用下的老化機理
直流作用下。反偏壓側的Zni向晶界遷移,中和了部分VZn,使表面受主態密度下降,勢壘降低,阻性電流增大。直流電壓作用下的老化不對稱,是因為測試電壓極性如與老化時加的電壓一致,電壓主要加在正極性側的耗盡層上,而這一側可遷移的填隙鋅離子已不多;如極性相反,則電壓主要加在另一側的耗盡層上,而這側有大量的填隙鋅離子,所以阻性電流大。
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